氧空位&是指在金属氧化物&或其他含氧化合物中，晶格中的氧原子（氧离子）脱离，导致氧缺失，形成的空位。这种缺陷最早在1960年被提出，当时也被称为“Wadsley defect&”。氧空位的形成通常发生在特定外界条件下，如高温或还原处理等。

氧空位是金属氧化物中最常见的一种缺陷形式，对半导体材料&的性能有着重要影响。氧空位可以调节金属氧化物电子结构，调控能带结构，促进载流子分离，优化反应物在催化剂表面的吸附能，从而降低反应能垒，促进分子活化。

氧空位的存在通常可以通过一系列表征测试来证实，如XPS表征&可以观察到氧空位影响邻近晶格氧的O1s轨道的结合能发生明显位移，EPR表征&可以高灵敏且精确探测Vo存在，XAS表征可以观察到由于Vo存在导致晶体结构的改变。

总的来说，氧空位是一种重要的固体材料缺陷，在催化、电催化&、热催化&、储能&、电池&等科学研究领域有着广泛的应用。